山崎舜平博士，半导体能源研究所创始人，拥有超过20,000项专利，创下吉尼斯世界纪录，他阐述了知识产权创造周期如何正在变革半导体行业。

半导体能源研究所有限公司（SEL）由山崎舜平博士于1980年创立，其使命是通过研究与开发推动世界进步。SEL以"知识产权创造周期"理念为基础，运营着一种独特的商业模式：来自创造性研发的发明被系统性地申请专利，许可收入再投资于下一代研究，从而在不依赖传统制造的情况下，构建了一个自我维持的创新生态系统。

SEL的技术之旅始于太阳能电池研究，这为其向薄膜晶体管（TFT）、集成电路和OLED显示器领域的拓展奠定了基础。如今，SEL的许多专利被应用于智能手机、电视以及其他使用液晶显示器和采用晶体氧化物半导体的OLED显示器的设备中。

SEL创新之旅的起点：闪存

山崎博士的创新之旅始于一项将重塑数字存储格局的突破性发明。

1970年，在导师加藤与五郎博士的指导下，山崎博士发明了非易失性存储器的基本器件，即我们今天所熟知的闪存（一种带有控制栅的硅浮栅非易失性存储器）。

这项发明催生了巨大的闪存市场，仅USB闪存盘这一细分市场在2024年就达到了98.4亿美元[1]。山崎博士于1971年发明的非易失性存储器器件，在近半个世纪后的2018年由SEL验证，仍具备反复读写操作的能力。

这项基础性发明产生了41项专利，其中包括核心日本专利第886343号（日本特许公开昭50-36955号）和美国专利第3878549号，涵盖了包括集成和驱动方法在内的全面技术范围。这些专利产生了显著的商业影响。通过将这些专利许可给多家公司所获得的版税，为山崎博士提供了充足的资金，使其得以在1980年创立SEL。

用于超低功耗器件的晶体氧化物半导体

在为太阳能电池而研发的薄膜半导体数十年研究的基础上，SEL于2012年取得了一项重大突破。该公司发现并报告称，使用晶体氧化物半导体（包括其专有的CAAC-OS®[3]（C轴对齐晶体氧化物半导体））的场效应晶体管（FET）表现出极低的关态电流，为yA/μm（10⁻²⁴ A/μm）。

这一数值比目前广泛应用于超大规模集成电路（VLSI）中的硅FET的关态电流低了十个数量级。日本专利第6697066号、美国专利第9478564号中记录了这一革命性的改进，同时也在IEEE国际存储器研讨会上进行了展示（T. Matsuzaki等人，Proc. IEEE Int. Memory Workshop, 185 (2011)）。

荣获SID年度显示器金奖

这一发现的商业验证来得迅速。SEL与夏普公司合作，共同开发了使用晶体氧化物半导体的液晶显示器。2012年，他们实现了全球首批搭载该技术的高分辨率、低功耗智能手机的量产。这一成就使夏普公司和SEL荣获了信息显示学会（SID）颁发的备受瞩目的2013年度显示器金奖。

如今，晶体氧化物半导体被广泛应用于智能手机、电视以及其他使用液晶显示器和OLED显示器的设备中。2020年和2021年，使用氧化物半导体的液晶显示器市场规模合计达到96亿美元（约1万亿日元）[2]，验证了SEL在该技术上的战略性投资。

获得最多专利的发明家吉尼斯世界纪录

SEL的竞争优势源于其完全一体化的知识产权管理方式。公司内部的知识产权部门负责从撰写专利说明书到提交申请以及跨法域管理专利审查程序的全部事务。通过内部管理从研发到专利授权的整个流程，SEL比竞争对手更快地获取高质量专利，知识产权专家与研究人员密切协作，全面捕捉每项发明的全部技术范畴。

成果不言自明。SEL已建立起令人瞩目的专利组合：氧化物半导体领域超过10,000项专利（该领域全球领先）、OLED领域超过7,000项专利、可充电电池领域超过1,000项专利，并根据世界知识产权组织（WIPO）《专利合作条约》（PCT）提交了超过3,500件PCT申请。

截至2025年3月，SEL在美国和日本的氧化物半导体专利申请及授权专利占比的饼图 | 图片来源：SEL

这些专利在日本、美国、中国、韩国、中国台湾省和欧洲等关键市场进行了战略性注册，其中部分专利通过PCT体系高效获取。

截至2025年3月，氧化物半导体、OLED和可充电电池技术按国家划分的专利占比饼图 | 图片来源：SEL

2025年7月9日，山崎博士以20,120项专利再次刷新其"作为发明人拥有最多专利"的吉尼斯世界纪录™称号，这是他第三次刷新该纪录。

这座知识产权堡垒支撑着SEL的技术实力和竞争力，产生的许可收入为"知识产权创造周期"提供动力，同时使SEL成为全球制造商不可或缺的合作伙伴。

面向节能AI处理的超低功耗

SEL正利用其晶体氧化物半导体（OSLSI®）将业务从显示器领域拓展至大规模集成电路，目标应用于AR/VR显示器、下一代存储器以及用于节能AI处理的模拟存内计算（AiMC）。目前，SEL正在全球范围内建立制造合作伙伴关系，以推动OSLSI技术的量产。

时机再关键不过。全球变暖和AI的爆发式增长引发了功耗危机，数据中心消耗着巨大的电力。SEL的答案简洁优雅：从源头——半导体本身——降低功耗。其晶体氧化物半导体具有极低的关态电流，可大幅削减AI计算基础设施的能源需求。

展望未来，SEL正在大力投资下一代半导体材料，体现了公司对"知识产权创造周期"的持续承诺。2025年7月，山崎博士在以20,120项专利刷新吉尼斯世界纪录时阐述了这一愿景："20,000多项专利是约60年研究的成果。受到这一纪录的鼓舞，我将继续推动超低功耗LSI和模拟AI等技术的发展，这些技术有助于防止全球变暖。"通过战略性地运用PCT体系，SEL持续为这些创新获取多国专利保护，确保公司的解决方案能够在全球范围内部署，以应对气候危机，同时保持在半导体行业中的竞争优势。

来源：https://www.wipo.int/en/web/ip-advantage/w/stories/semiconductor-energy-laboratory-how-ip-drives-semiconductor-innovations

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